文献链接：拼多Stableroom-temperaturecontinuous-wavelasinginquasi-2Dperovskitefilms（Nature,2020, DOI: 10.1038/s41586-020-2621-1）Science1.清华Science:金属3D打印技术取得重大研究进展清华大学的赵沧、拼多卡内基梅隆大学的AnthonyD.Rollett和弗吉尼亚大学大学的TaoSun（共同通讯作者）等人利用告诉X射线成像技术对锁孔形成进行了细致的观测。
不同磁场下纵向电阻和霍尔电阻随着栅极电压的变化揭示了6层MnBi2Te4样品中轴子绝缘体态和陈绝缘体态之间的演化过程，多上而两种拓扑物质态之间的量子相变行为和量子霍尔液体到霍尔绝缘体的相变满足同样的临界指数规律。随着磁场增加，拼多当反铁磁态转变为铁磁态时，拼多陈绝缘体出现，样品的输运由非耗散的手性边缘态贡献，因此纵向电阻消失，而霍尔电阻达到1倍量子电阻。
相关研究以RobustaxioninsulatorandCherninsulatorphasesinatwo-dimensionalantiferromagnetictopologicalinsulator为题目，多上发表在Nat. Mater.上。本内容为作者独立观点，拼多不代表材料人网立场。然而，多上NMR分析表明，LCCs−B-B含有16.1/100C9的LCCs键，高于LCCs−B-P(12.3/100C9)。
抗氧化实验表明，拼多LCCs−B-B具有较好的抗氧化活性，能够清除单个自由基。近年来，多上该类太阳能电池因其快速增长的光电转换效率和逐步提升的器件稳定性，吸引了学术界和产业界的广泛关注，为光伏领域带来了新的机遇。
相关研究以Areflectiononlithium-ionbatterycathodechemistry为题目，拼多发表在Nat.Commun.上。
锂离子电池的出现和主导地位是由于其能量密度比其他可充电电池系统高，多上这得益于高能密度电极材料的设计和开发。图二. 普通玻璃基板（折射率1.45）制备的反型WOLEDs(a)J-L-V曲线，拼多(b)EQE曲线，拼多(c)PE曲线，(d)驱动电压为4V时的归一化EL光谱，(e)厚度为240 nm有机多异质结空穴传输层WOLED器件不同亮度下的EL光谱，插图为1000 cdm-2亮度下的WOLED照片，(f)240 nm厚度有机多异质结空穴传输层WOLED器件在驱动电压为4V时的不同角度EL光谱。
多上该工作提出的超厚反型底发射器件结构为实现高效率WOLEDs开辟一条新的途径。图三. 普通玻璃基板（折射率1.45）制备的反型WOLEDs(a) 60nm和240 nm厚度有机多异质结空穴传输层WOLEDs器件结构示意图，拼多(b) 60nm和240 nm厚度有机多异质结空穴传输层WOLEDs器件的 J-L-V曲线对比，拼多(c)60nm和240 nm厚度有机多异质结空穴传输层WOLEDs器件EQE和PE曲线对比，(d) 240 nm厚度有机多异质结空穴传输层WOLED器件EQE曲线和TTA模型拟合，(e) I-V曲线细节，(f) 不同有机多异质结空穴传输层厚度器件在1,5,10,和100 mAcm-2电流密度下的电压曲线，(g)不同厚度（周期）有机多异质结堆叠器件的I-V曲线，(h)不同厚度（周期）有机多异质结堆叠器件在1,5,10,和100 mAcm-2电流密度下的电压曲线，(i)不同厚度（周期）有机多异质结堆叠器件的C-V曲线。
多上该工作得到国家重点研发计划项目高亮度小型器件关键技术（编号2016YFB0400702）的支持。图五. 理论仿真和峰值效率实验结果对比(a)普通玻璃基板（折射率1.45）WOLEDs器件，拼多(b)高折射率玻璃基板（折射率1.75）WOLEDs器件。
